一類為溫度補償型NPO介質，NP0又名COG電氣性能很穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變，屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型，適用在對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。

二類為高介電常數(shù)型X7R介質，X7R是一種強電介質，因而能制造出容量比NPO介質更大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時間的改變，其特有的性能變化并不顯著，屬穩(wěn)定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。

三類為半導體型X5R介質，X5R具有較高的介電常數(shù)，常用于生產比容較大、標稱容量較高的大容量電容器產品。但其容量穩(wěn)定性較X7R，容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機中的振蕩、耦合、濾波及傍路電路中。

優(yōu)點：封裝體積小,質量穩(wěn)定，絕緣性能高，耐高壓；缺點:容量較小，目前封頂100UF，易于被脈沖電壓擊穿。